Rasterelektronenmikroskopie mit FIB oder EDX/EBSD

Zerstörende und zerstörungsfreie Analytik an Mikrochips, elektronischen Bauelementen und Baugruppenteilen

Rasterelektronenmikroskopie mit Fokussiertem Ionenstrahl (FIB)

  • Kombination aus Elektronen- und Ionenstrahltechnik (Cross-Beam-Technik)
  • Auflösung: 1,1 nm @ 20 kV; 2,5 nm @ 1 kV; FIB 4 nm @ 30 kV (CrossBeam FIB „Nvision 40“ @ Firma Carl Zeiss NTS GmbH; Kleindiek Manipulator)

Rasterelektronenmikroskopie und kombinierte Material- und Strukturanalyse durch paralleles EDX- & EBSD-Mapping für Element-, Phasen- und Orientierungsverteilungen

  • Variable Pressure für Untersuchungen an nicht leitfähigen Proben
  • Auflösung: 1.0 nm @ 15 kV; 1.9nm @ 1 kV (SUPRA 40 VP @ Carl Zeiss SMT AG)